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合成碳化硅联系方式(查看)_碳化硅粉末

2022-06-23 09:19:02

碳化硅(SIC)是半导体界公认的“一种未来的材料”,是新世纪有广阔发展潜力的新型半导体材料。预计在今后5~10年将会快速发展和有显著成果出现。促使碳化硅发展的主要因素是硅(SI)材料的负载量已到达极限

碳化硅(SIC)是半导体界公认的“一种未来的材料”,是新世纪有广阔发展潜力的新型半导体材料。预计在今后5~10年将会快速发展和有显著成果出现。促使碳化硅发展的主要因素是硅(SI)材料的负载量已到达极限合成碳化硅,以硅作为基片的半导体器件性能和能力极限已无可突破的空间。 根据数据显示,碳化硅 (SiC)电力电子市场是具体而实在,且发展前景良好。这种趋势非但不会改变,碳化硅行业还会进一步向前发展。用户正在尝试碳化硅技术,以应用于具体且具有发展前景的项目。调整相对于装入转炉型精炼容器内的冷铁源与铁水的合计质量的冷铁源的单耗(单位消耗量)Xs (kg/t),使由下式(1)算出的Y值在220以上、260以下的范围内,并使脱硅处理结束时的铁水温度在1280°C以上、1320°C以下碳化硅粉末,Y = (3 + 34.5 ( % Si) + 0.21Ti).(1000 - Xs) /1000...式中,〔% Si):装入的铁水中的65碳化硅硅浓度(质量%),Ti:装入的铁水的温度(°C ),Xs:冷铁源单耗(kg/t);通过中间排渣从转炉型精炼容器中排出的炉渣的排渣率为由上述脱硅处理生成的炉渣的60~90质量% ;使结束中间排渣后的上述转炉型精炼容器内的炉渣的炉渣量在4kg/t以上、20kg/t以下。控制转炉出钢的碳含量及终点氧含量包括:钢种要求碳含量≥0.15%时,转炉出钢碳含量控制为0.04%~0.08%,终点氧含量为300~600ppm。出钢过程中进行挡渣操作包括:控制下渣量≤5kg/t钢。根据终点氧含量碳化硅颗粒,往钢包内加入碳化硅包括:当终点氧含量≥500ppm,加入82碳化硅1.5kg/t钢。根据终点氧含量碳化硅颗粒,往钢包内加入碳化硅包括:当终点氧含量<500ppm,加入82碳化硅1.2kg/t钢利用82碳化硅脱氧降低出钢增氮量的方法包括在120吨转炉、120吨钢包炉冶炼情况下,控制转炉出钢的碳含量为0.0542%,终点氧含量486ppm,往钢包内加入82碳化硅138kg,出钢过程中先加石灰450kg和预熔精炼渣112kg,接着加磷铁、铬铁、锰铁、铜合金,出钢结束加钢水精炼调渣剂100kg,过程取样进行氮含量分析,转炉终点氮含量为19.8ppm,站取样氮含量为21.5ppm,成品钢氮含量为31ppm,出钢增氮量仅为1.7ppm。钢包底吹气为钢包底吹气>30m3/h。对于中高碳钢,由于真空条件下钢水C能进一步降低溶解氧含量,采用LF-RH精炼工艺,80碳化硅可以将钢材总氧(T.O)控制在8ppm以内。但对于中低碳钢,特别是C<0.25%的钢种,采用相同的生产工艺,成品T.O仅控制到10~15ppm,很难控制在8ppm以内。经检索,国内外发表的和主要从强化LF精炼如采用高碱度高还原性精炼渣、强化RH真空操作如延迟真空处理时间、控制高真空度等降低钢水总氧含量。
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